近日，任俊峰教授团队在国际著名期刊《The Journal of Physical Chemistry Letters》上发表了题为“Enhanced Intrinsic Anomalous Valley Hall Effect Induced by Spin−Orbit Coupling in MXene Monolayer M3N2O2 (M = Y, La)”的研究论文。2023伊甸直达入口音为唯一论文署名单位，博士研究生陆佳骏为第一作者，原晓波副教授和任俊峰教授为通讯作者。
近年来，谷电子学蓬勃发展，寻找合适的谷材料仍是相关研究的热点与挑战。作者通过第一性原理计算，提出了一种新型的二维MXene材料—Y3N2O2，该材料具有自发谷极化且可以诱发其内在的反常谷霍尔效应（AVHE）。同时，作者发现体系的谷极化大小可以通过改变诸如磁化方向、双轴应变、自旋轨道耦合强度等因素进行调控。结合自旋轨道耦合哈密尔顿模型，作者发现该材料的谷极化大小与体系自旋轨道耦合的强度成线性关系，在此基础上作者提出了具有更大谷极化的材料—La3N2O2。这项工作不但为谷电子学的研究提供了一个有前景的材料，而且还为构造合适的谷电子器件提供了新的思路。
以上研究获得国家自然科学基金、山东省自然科学基金及山东省高等学校青创科技计划项目的资助。
论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.2c03307
